最近，半導體行業被一個詞攪得發熱——CPO。輝達和SK海力士，一個掐著算力的命門，一個攥著記憶體的咽喉，這次罕見地同時坐不住了。 SK海力士、輝達，加注CPO 近日，SK海力士及其全球研究團隊在《自然·電子學》雜誌上發表了一篇論文。該論文探討了用於高性能計算和人工智慧的共封裝光學器件（CPO）的開發，指出了關鍵的技術挑戰，並概述了下一代光互連技術的發展軌跡。 SK 海力士人工智慧基礎設施團隊負責人洪承勳和弗吉尼亞大學（UVA）電氣與電腦工程系李奎相教授擔任通訊作者，領導了一項與伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校（UIUC）、南洋理工大學（NTU）、麻省理工學院（MIT）和延世大學的研究人員合作的研究。

AI算力需求的爆發正將HBM記憶體推向架構演進的十字路口。 在本屆Hot Chips大會上，三星、美光、SK海力士與輝達密集披露各自技術路線圖，核心議題高度集中：HBM正從標準化商品走向定製化平台，三維垂直堆疊成為下一代架構的共同方向，而散熱與功耗約束已成為制約擴展的首要瓶頸。 三星提出將HBM基礎底片（base die）從通訊層演進為定製化AI平台的三階段路線圖，並披露ZHBM概念——將HBM直接垂直堆疊於XPU之上，目標是將總DRAM功耗較HBM5降低約70%，絕對功耗降幅超過100W，頻寬提升2.3倍以上。 與此同時，輝達披露其實驗室已擁有至少三款RVA23處理器，並完成了CUDA在RISC-V硬體上運行的首次公開演示，展示了第三方定製CPU接入NVLink Fusion生態的具體路徑。

在Hot Chips大會上，三星和SK海力士都同意，GPU、記憶體、晶圓代工和封裝必須作為一個系統來設計。從那時起，它們的解決方案開始分道揚鑣。 三星正將基礎晶片轉變為系統中的一個活躍部分。它計畫將記憶體控製器從GPU上移到邏輯基礎晶片上，從而釋放GPU面積的5–10%，用於更多計算，並可能提升性能10–20%。選擇性的AI操作也可以在基礎晶片上運行，以減少資料移動。從長遠來看，它正在推動zHBM技術，該技術直接堆疊GPU和DRAM，預計將DRAM功耗降低約70%，同時頻寬增加一倍以上。 SK海力士則專注於更高堆疊並管理由此產生的熱量和翹曲問題。它確認HBM4 12層堆疊已進入生產階段，而16層版本已進入客戶驗證階段。混合鍵合是通往20層及更高堆疊的路徑，它允許使用更厚的晶片和更緊密的間距。其iHBM方法在堆疊最熱區域內部加入了一個專用的熱傳導路徑。這場競爭不再僅僅關乎頻寬和容量。基礎晶片架構和先進封裝正成為決定性戰場。 三星基於邏輯節點的定製基板晶片

據航美報導，韓國國記憶體器企業正加大對中國NAND快閃記憶體生產基地的投資。三星電子已敲定今明兩年在國內投資建設最先進的NAND快閃記憶體轉換工廠的計畫。SK海力士也計畫從今年下半年到明年，確保每月3萬片晶圓的產能。 據業內人士24日透露，三星電子和SK海力士計畫明年在中國積極推進NAND快閃記憶體大規模生產線的設施投資。 自今年上半年以來，三星電子一直在其位於中國西安的X2生產線上進行V9 NAND快閃記憶體的改造投資。三星電子的V9 NAND快閃記憶體是一款採用280個堆疊單元的先進產品，預計每月產能可達4萬至5萬片晶圓。 據報導，三星電子正在敲定追加投資計畫，以加強其晶圓廠的V9 NAND快閃記憶體產能。該計畫的核心是引進額外的蝕刻工藝裝置，而蝕刻工藝是NAND快閃記憶體製造的關鍵環節。

AI晶片再快，也要等資料。處理器算得飛快，記憶體卻喂不上——這個困擾電腦幾十年的"記憶體牆"，直到HBM的出現才真正被鑿穿。2026年，HBM已從DRAM的一個小眾分支，成長為制約全球AI產業擴張的關鍵瓶頸，而它正在經歷的，是一場更深刻的身份轉變：從"通用元件"走向"半定製元件"。 開篇：從"記憶體牆"到"戰略物資" 電腦體系結構裡，有一個存在了幾十年的老問題：處理器太快，記憶體太慢。預取器、NUMA、多級快取，這些技術本質上都只是最佳化，只能把記憶體牆"鑿掉一點牆皮"。真正改變局面的，是一種反直覺的思路：既然平面的記憶體跑不快，那就把它"立起來"。 HBM的答案，是把記憶體晶片像漢堡一樣垂直堆疊，用成千上萬個矽通孔（TSV）把它們連在一起，再用超寬的介面直接對接GPU。頻寬從DDR5的64位，一路擴展到HBM4的2048位。

記憶體超級周期—一場改變半導體權力版圖的革命 2026年5月，三星、美光、SK海力士三家記憶體晶片企業，在短短12天內先後跨過兆美元市值門檻。美光從5000億美元衝到1兆，只用了48個交易日——而輝達跨越同樣的路程，用了490天。一個被問了很久的問題浮出水面：為什麼偏偏是記憶體，而不是CPU或GPU，成了這輪AI浪潮的最大贏家？ 開篇：一個被忽視的"權力轉移" 全球半導體市場銷售額2026年預計突破1.5兆美元，同比增長約107%。其中，記憶體晶片營收預計達9600億美元，同比增長290%，佔全球半導體銷售額的60%。更關鍵的標誌是：記憶體產值首次超越晶圓代工，成為半導體產業的第一增長極。

SK海力士、三星、美光，誰將在AI時代主宰記憶體？ 2026年的記憶體行業，正在經歷一場史無前例的超級周期。SK海力士、三星、美光三大巨頭，市值曾同時突破兆美元；DRAM合約價一年半累計漲超300%；美光的毛利率衝到了84.9%，甚至碾壓了輝達。當記憶體晶片從"周期大宗商品"升級為"戰略核心資產"，這三家公司的半年報，藏著一場關於AI時代底層邏輯的深刻變化。 開篇：三巨頭同創歷史新高 2026年全球記憶體器市場規模突破8000億美元，單一品類佔據半導體市場過半份額。三大巨頭市值曾同時突破兆美元。DRAM合約價從2025年Q1到2026年Q2累計漲幅超過300%，NAND Flash累計漲超250%。

晶片行業最著名的魔咒，莫過於「周期」：缺芯暴漲→瘋狂擴產→產能過剩→價格雪崩。 一直以來，記憶體晶片都是半導體行業中最令人心驚膽戰的「周期大宗品」。需求旺盛時，價格與利潤一飛沖天；一旦新增產能集中釋放，庫存、價格與盈利又會迅速反轉。 但這一次，記憶體巨頭正在嘗試改寫劇本。最近兩個月， $SK海力士 (SKHY.US)$ 、 $閃迪 (SNDK.US)$ 、 $鎧俠 (285A.JP)$ 、 $美光科技 (MU.US)$ 相繼提高回購及現金回饋力度； $三星電子 (005930.KR)$ 今日宣佈史上規模最大股東回報計劃，最高將向股東返還110兆韓元。 這場「撒錢潮」固然帶有穩定市場信心的意味，但它真正值得關注的地方，不只是記憶體公司突然變得有錢，而是廠商開始把長期合同、自由現金流及股東回報，放到與技術升級、產能投資同等重要的位置。