剛收假回來，慧慧就被震驚到了。（慧慧換裝了，別見怪）。 5月6日，註定是要被寫進金融史的一天，全球儲存股集體“炸場”，簡直是把“瘋狂”兩個字直接打在了公屏上。 韓國開盤就讓人看傻了，KOSPI 200期貨直接漲停5%，觸發熔斷，交易被迫暫停。SK海力士單日暴漲超10%，年內已經翻了快1.5倍；三星電子也不甘示弱，大漲14%。KOSPI指數乾脆刷新了28年來的最大單月漲幅紀錄。 港股的槓桿資金也在瘋狂放大財富效應。兩倍做多SK海力士的ETF年內飆漲339%，兩倍做多三星電子的ETF年內漲了290%，持有者的帳戶裡，數字以肉眼可見的速度膨脹。

本周四，三星電子公佈第一季度淨利潤，折合超過 300 億美元。這不僅大幅刷新公司歷史單季盈利紀錄，甚至已接近這家韓國企業過去全年利潤的最高水平。 三星第一季度營業利潤中，約 94% 來自半導體業務。 三星在儲存領域的主要競爭對手——韓國 SK 海力士與美國美光科技，近期也交出了同樣驚人的成績單。這三家公司主導著全球儲存晶片市場，而儲存晶片正是與輝達處理器搭配、支撐 AI 運算的核心器件。 儘管市場對於 AI 服務未來能否真正實現高額盈利的擔憂正在增加，但圍繞 AI 基礎設施建設的企業，卻正持續獲得巨額利潤。

當全球半導體進入地緣博弈最激烈、技術迭代最迅猛、格局重構最深刻的時代，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士，幾乎在同一時間做出了一個耐人尋味的選擇： 重倉中國。 2025年，兩家巨頭聯手向中國砸下1.5兆韓元，折合人民幣近70億。2026年，押注仍在繼續。一個牽動全球半導體產業的疑問隨之而來： 為什麼是現在？為什麼依然是中國？

隨著SK海力士正式披露HBM4E核心晶片將全面匯入1c納米製程，AI儲存領域的技術競賽正進入關鍵轉折點。目前該工藝良率已達80%，標誌著其在大規模商用化路徑上取得了實質性突破。本文解讀了海力士這一戰略佈局背後的技術邏輯、2027年量產的時間表，以及從上游EUV裝置到下游AI算力基礎設施的產業鏈傳導效應。研究認為，1c製程與混合鍵合技術的協同，將成為未來定義高性能儲存系統整合效率的新標準。（圖片來源：海力士）行業觀察：1c納米製程的成熟與HBM4E的量產前瞻在人工智慧算力需求持續攀升的背景下，HBM已成為半導體行業關注的焦點。近期，儲存器巨頭SK海力士宣佈，其下一代HBM產品——HBM4E的核心晶片將全面匯入1c納米製程，即第六代10納米級DRAM技術。這一舉措不僅彰顯了海力士在先進製程上的決心，更重要的是，公司透露其1c納米工藝的良率已達到80%，量產能力趨於成熟。根據海力士的規劃，HBM4E樣品預計在2026年下半年向客戶提供，並以2027年實現大規模量產為目標。這標誌著HBM技術路線圖上的一個重要里程碑，預示著AI儲存市場即將迎來新一輪的技術革新與競爭態勢調整。（圖片來源AI生成，僅供參考)技術驅動：性能極限的追求與市場競爭的策略選擇SK海力士在HBM4E上選擇1c納米製程，是多重因素驅動下的結果：首先，對性能極限的持續突破是核心動因隨著GPU等AI加速晶片算力的飛速提升，對儲存頻寬和能效的要求也日益嚴苛。傳統的1b納米工藝在物理層面已逐漸觸及瓶頸。1c納米製程通過更精細的電晶體結構和更先進的光刻技術，能夠在單位面積內整合更多儲存單元，從而顯著提升資料傳輸速率並降低功耗。例如，基於1c工藝的LPDDR6產品，其資料處理速度相比前代提升了33%，能效也提高了20%以上。這種製程優勢對於HBM4E而言，意味著更高的頻寬和更低的運行溫度，這對於滿足未來AI模型對海量資料處理的需求至關重要。其次，市場競爭的策略考量亦是關鍵在HBM領域，三星電子在HBM4階段已率先採用1c納米製程。為保持在HBM市場的領先地位，SK海力士必須在HBM4E這一代產品上迎頭趕上，通過1c納米工藝的成熟量產來鞏固其技術競爭力。此次公佈的80%良率，不僅展示了海力士在解決EUV層數增加所帶來的工藝複雜性方面的進展，也為2027年HBM4E的大規模供應提供了信心。產業鏈影響：從裝置材料到終端應用的全面聯動海力士HBM4E匯入1c納米製程，其影響將貫穿整個半導體產業鏈，形成深遠的傳導效應：趨勢展望：2027年恐成AI儲存的效率元年綜合海力士的技術路線與市場動態，未來幾年HBM市場可能呈現以下趨勢：2026年是技術驗證與生態磨合期隨著GPU等AI加速晶片算力的飛速提升，對儲存頻寬和能效的要求也日益嚴苛。傳統的1b納米工藝在物理層面已逐漸觸及瓶頸。1c納米製程通過更精細的電晶體結構和更先進的光刻技術，能夠在單位面積內整合更多儲存單元，從而顯著提升資料傳輸速率並降低功耗。例如，基於1c工藝的LPDDR6產品，其資料處理速度相比前代提升了33%，能效也提高了20%以上。這種製程優勢對於HBM4E而言，意味著更高的頻寬和更低的運行溫度，這對於滿足未來AI模型對海量資料處理的需求至關重要。2027年為規模量產與技術普及期隨著HBM4E的正式量產，1c納米製程有望成為高性能DRAM的主流工藝。同時，混合鍵合技術在HBM中的應用將逐步成熟，成為區分HBM產品性能和成本競爭力的關鍵技術之一。長期趨勢應該是從堆疊密度到系統級整合效率未來的HBM發展將不再僅僅是單純追求更高的堆疊層數或更寬的位寬，而是更加注重製程工藝（如1c及後續節點）、先進封裝技術（如混合鍵合、3D堆疊）與邏輯晶片（Base Die）之間的協同最佳化。通過提升整體系統整合效率，實現更低延遲、更高能效的AI儲存解決方案，這將是AI時代儲存技術演進的核心方向。海力士HBM4E的1c納米製程計畫，不僅是其自身技術實力的體現，更是AI儲存行業向更高性能、更低功耗邁進的一個縮影。2027年的量產目標，將是AI儲存領域的一個重要分水嶺，屆時，誰能更好地平衡技術創新、良率控制與成本效益，誰就能在激烈的AI競爭中佔據更有利的位置。 (GMIF創新觀察)

罷工威脅給三星電子帶來的壓力可能會導致其與SK海力士之間的股價漲幅差距進一步擴大。5月4日，韓國KOSPI指數收漲5.12%，報6936.99點，創下歷史新高。其中，儲存晶片龍頭股表現尤為亮眼，SK海力士收漲12.5%，三星電子收漲5.44%，均創歷史最高收盤價。隨著大型科技公司建設人工智慧(AI)資料中心的強勁需求導致儲存晶片供應受限，並推高了高端和普通儲存晶片的價格，三星電子和SK海力士均受益於全球儲存晶片市場這輪持續的增長勢頭。不過，三星電子股價明顯跑輸SK海力士。資料顯示，三星電子股價今年迄今上漲約94%，而SK海力士股價今年迄今上漲約122%，漲幅差距達28個百分點。二者股價的分化始於上個月。三星電子的工會於4月23日舉行了集會，要求從AI帶來的利潤中獲得更大份額，並威脅從5月21日起舉行為期18天的罷工。罷工威脅給三星電子帶來的壓力可能會導致其與SK海力士之間的股價漲幅差距進一步擴大。三星電子管理層與員工之間的爭執已促使更多分析師對其盈利前景表示擔憂，尤其是在SK海力士去年達成一項里程碑式的協議以提高其獎金支出之後。三星電子在高利潤的高頻寬記憶體(HBM)晶片業務上本就已落後於SK海力士，而此次勞資糾紛對其努力實現復甦構成了挑戰。三井住友德思資產管理株式會社的高級投資組合經理Stanley Tang表示：“人們仍然看好AI驅動的高頻寬記憶體需求，但擔心三星電子可能發生的罷工。”他指出，隨著聯發科和日月光半導體的股價均上漲近10%，“只有三星落後了”。三星電子發佈的財報顯示，第一季度公司實現營收133.9兆韓元，同比增長69%、環比增長43%。其中，半導體事業部實現營收81.7兆韓元，環比增長86%。儲存業務成為三星電子第一季度當之無愧的業績貢獻核心。據統計，這也是半導體事業部營收佔集團總營收首次超過50%。該公司的半導體事業部主要包括儲存晶片和晶圓代工兩大類業務。在第一季度，儲存晶片實現營收74.8兆韓元(環比增長101.62%)，晶圓代工營收則為6.9兆韓元(環比持平)。盈利表現更是亮眼。第一季度三星電子整體實現經營利潤57.2兆韓元，環比增長184.6%、同比增長756%。半導體事業部的經營利潤在第一季度為53.7兆韓元，在2025年第四季度則是16.4兆韓元，這意味著環比上漲了超過2倍。然而，巨額利潤並未惠及一線員工。據悉，三星工會目前強烈要求該公司發放佔年度經營利潤15%的獎金，同時揚言，若訴求未獲正面回應，將於5月21日至6月7日期間發動長達18天的大罷工。該工會此前拒絕了管理層提出的將經營利潤的10%用於獎金以及加薪6.2%的方案。三星電子首席財務官Park Sooncheol在在上周的財報電話會議上表示，該公司“正在依法依規處理勞資問題，並將繼續優先與工會對話，以達成友好解決方案。”他同時補充稱：“即使發生罷工，公司也計畫在法律框架內通過專門團隊和響應體系來應對，以儘量減少生產中斷。”三星電子面臨的這場嚴重的勞資糾紛，可能衝擊本就緊張的全球儲存晶片供應。三星電子約4萬名員工於4月23日舉行的大規模罷工導致儲存晶圓產能下降18.4%，代工晶圓產能暴降58.1%。這場罷工已經證明，即便是高度自動化的儲存產線，4萬人的缺席仍能造成近五分之一的產能損失，而勞動密集型的代工產線更是直接被砍掉近六成。半導體裝置的例行設定與維護工作若長時間暫停，後續恢復正常營運的時間可能需要耗費兩倍之久。這意味著如果工會確實展開18天的罷工，三星電子可能需要長達36天(超過一個月的時間)才能完全恢復正常的生產動能。這無疑將嚴重衝擊三星電子乃至全球半導體供應鏈。面對即將到來的罷工威脅與未來可能持續發生的營運中斷，三星電子高層甚至正評估分拆半導體事業部的可能性。然而，將最賺錢的半導體事業部剝離，雖然能從根本上解決集團內部薪酬不平等的爭議，但此舉將極大機率導致公司價值受損、股價下跌，並勢必會引發集團股東的強烈反彈與抵制。以Peter Lee為首的花旗集團分析師於4月30日將三星電子的目標股價從32萬韓元下調至30萬韓元。分析師表示，儘管認為三星電子是儲存市場增長的長期受益者，但“因罷工加劇而計提的獎金相關準備”可能會侵蝕其盈利。相比之下，為了平息自身的勞資緊張局勢，SK海力士於去年9月與工會達成協議，將年度經營利潤的10%分配給獎金池，從而避免了罷工，並可能為韓國科技行業樹立了先例。SK海力士此前公佈的財報顯示，公司一季度淨利潤達40.33兆韓元，大超分析師預期的29.39兆韓元;一季度營運利潤37.61兆韓元，亦高於市場預期。第一季度DRAM平均銷售價格較去年第四季度大幅上漲約60%;一季度NAND平均銷售價格較去年第四季度大幅上漲約70%。SK海力士表示，伺服器記憶體需求持續強勁，抵消了個人電腦與智慧型手機晶片領域的疲軟表現，正推動整體市場增長。伺服器晶片領域，DRAM與NAND的需求基礎均在擴大。SK海力士預計，短期內有利的定價環境將持續;第二季度DRAM出貨量環比高個位數百分比增長;第二季度NAND出貨量環比增長約15%左右。以Simon Woo為首的美銀證券分析師在一份研究報告中寫道，他們已假設三星電子將在第二季度開始為員工特別獎金計提準備，同時“三星潛在的工會罷工也可能為SK海力士帶來更有利的晶片定價環境”，這促使該行上調了對SK海力士的目標價。 (invest wallstreet)

當全球半導體進入地緣博弈最激烈、技術迭代最迅猛、格局重構最深刻的時代，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士，幾乎在同一時間做出了一個耐人尋味的選擇： 重倉中國。2025年，兩家巨頭聯手向中國砸下1.5兆韓元，折合人民幣近70億。2026年，押注仍在繼續。一個牽動全球半導體產業的疑問隨之而來：為什麼是現在？為什麼依然是中國？01故事要從1997年說起。那一年，亞洲金融風暴席捲漢城（現首爾）。企業成片倒下，銀行門口排起擠兌的長龍，整個韓國經濟像一棟被抽掉地基的大樓，搖搖欲墜。大多數企業選擇了收縮、防守，甚至永久退出製造業。但有兩家公司，反其道而行之。一家叫三星電子，另一家是當時還叫“現代電子”的海力士。他們在最危險的時候，做了一個最瘋狂的決定：豪賭半導體。那時的半導體，根本不是什麼黃金賽道，而是高投入、高周期、高失敗率的“地獄賽道”。日本築起技術壁壘，美國掌控核心技術，韓國只是夾縫中的追趕者。但韓國人以破釜沉舟的決心，將半導體升級為國家命運工程。從九十年代開始，韓國企業以“燒錢換未來”的極端方式，死磕技術迭代。DRAM（動態隨機儲存器，一種廣泛用於電腦、智慧型手機和伺服器中的主記憶體技術）一代接一代趕超，NAND（一種非易失性儲存技術，能在斷電後保留資料）從無到有突破，投資佔利潤比例一度超70%。就此，韓國完成了逆襲。到2012年前後，韓國儲存產業已佔據全球主導地位，三星全球第一，SK海力士全球第二。在DRAM記憶體領域，韓國雙雄一度壟斷全球近七成份額。這已不僅是產業勝利，而是小國憑半導體完成的國家級躍遷。但一個致命的問題，很快擺在了檯面上：巨量晶片，銷往何方？答案，很快浮現：中國。進入21世紀，全球製造業發生結構性遷移。中國，加冕“世界工廠”。智慧型手機、PC、家電、伺服器……所有電子產業齊聚中國，形成吞噬晶片的超級巨獸。完美的產業共生就此誕生：韓國管供給，中國管需求。在此基礎之上，一種遠比簡單出口更深的繫結，就此拉開序幕。2012年，古都西安，迎來了一場足以改寫城市命運的招商大戰。同年，三星電子正在為其最先進的NAND快閃記憶體尋找海外生產基地。北京、重慶等一線城市悉數下場，競爭白熱化。為了拿下這個項目，西安開出了令全球矚目的條件：除了千畝土地和巨額資金支援外，西安甚至為三星專門修建了一條高速公路，以及保障晶片生產所需的大量純水和穩定供電系統。在招商過程中，面對三星提出的超過一千個問題，陝西省定下“四小時回答制度”。無論涉及多少部門，四小時內，必須給出專業答覆。最終，三星時任掌門人李健熙親自拍板，定下了這個當時中國中西部地區最大的外資項目。僅三星一期第一階段投資，即達70億美元。十幾年過去了，三星在西安的累計投資已超過280億美元。西安工廠不僅是三星在海外最大的晶片製造基地，更承擔著三星全球約40%的NAND快閃記憶體產能。這意味著，全球每7塊快閃記憶體晶片，就有1塊來自西安。▲西安三星半導體工廠，圖源：環球時報如果說三星在西安成就了“錦上添花”的霸業，那SK海力士在無錫，則是一場關乎生死的涅槃。2004年前後，還未被SK集團收購的海力士，正深陷財務泥潭，命懸一線。生死關頭，他們將最後的目光投向了中國。在無錫市政府的鼎力支援下，海力士與意法半導體結成戰略聯盟，打造了當時國內半導體領域單體投資規模最大的項目之一，並將工廠落戶無錫。這一關鍵佈局，不僅幫助海力士走出了困境，更讓無錫從此成為全球儲存晶片產業的重鎮。此後，SK海力士又斥資90億美元，接盤了英特爾位於大連的NAND快閃記憶體工廠。如今，SK海力士全球30%至40%的DRAM產能，都集中在無錫。與此同時，SK海力士每生產3塊NAND快閃記憶體晶片，就有至少1塊來自大連。過去十多年裡，韓國人出技術，中國人出土地、工程師和廣闊的市場。這種“中韓蜜月期”造就了全球半導體產業最有效率的分工模式。在中國的工廠裡，矽片日夜不息地運轉，變成一顆顆儲存顆粒。然後，它們被直接送上貨車，運往深圳、東莞、鄭州，裝進蘋果、華為、小米、OPPO、vivo的手機裡，銷往全球。這也是韓國晶片的黃金時代。巔峰時期，韓國半導體出口額的近六成，流向的都是中國。中國市場，就是韓國晶片巨頭們最可靠的“印鈔機”和最穩固的“定海神針”。而從地理版圖上看，西安、無錫、大連三座城市，也構成了韓國半導體產業的“第二本土”。02然而，故事翻到這一頁，風雲突變。2022年10月，美國商務部祭出對華半導體裝置出口全面限制。一時間，所有在華設有先進產線的外國企業都面臨生死抉擇：繼續在中國升級裝置，等於與華盛頓對著幹；放棄升級，等於眼睜睜看著數十億、數百億美元的投資貶值。在美國企業利益受損、盟友強烈抗議的多重壓力下，拜登政府給了三星和SK海力士一個“窗口期”，授予“經驗證終端使用者”（VEU）資格，允許它們無需逐項申請許可就能向中國工廠引進受控裝置。韓企鬆了一口氣。但所有人都知道，這只是暫時的。2025年8月，靴子落地。川普政府宣佈，撤銷三星電子和SK海力士的“經驗證終端使用者”資格。美國商務部產業安全保障局直言不諱：“這一舉措彌補了拜登政府時期的漏洞，當時少數外國企業無需許可，即可向中國出口半導體裝置和技術。”更狠的是，美國商務部還明確表示，不打算向這兩家公司發放在中國工廠擴產或進行技術升級的許可。消息傳出，韓國半導體業界一片嘩然。要知道，三星西安工廠承擔著約40%的NAND產能，SK海力士無錫工廠承擔著30%至40%的DRAM產能。如果無法引進先進裝置，這些產線將從“主力”迅速淪為“累贅”。韓國對外經濟政策研究院高級研究員鄭衡坤說得直白：“川普政府一向把一切當作談判工具，可能會利用被收回的VEU豁免資格作為槓桿，誘導韓國企業追加對美投資。”他同時補充道：“無論是否追加投資，美國要求與中國市場脫鉤的政策基調都不會改變。”壓力之下，韓國企業開始了一場精密又無奈的“技術走鋼絲”。SK海力士無錫工廠的升級故事，堪稱全球化時代最荒誕的技術博弈案例。2026年初，SK海力士宣佈無錫工廠完成製程升級，90%的DRAM產能從1z奈米轉向更先進的1a奈米。1a製程相比1z，單位晶圓可多產出約25%的晶片，功耗降低約20%。這是一次實實在在的技術躍升。但問題來了：1a DRAM製程需要使用極紫外（EUV）光刻裝置，而這種裝置受美國出口管制，嚴禁對華進口。SK海力士的解決方案堪稱“神操作”：將晶圓運回韓國，在利川工廠完成EUV光刻，再把晶圓運回無錫完成後續工序。一片晶圓要在中國和韓國之間來回折騰，物流成本飆升，生產周期拉長，品控風險翻倍。但SK海力士別無選擇。這種“分段製造”策略，本質上是韓國企業在中美夾縫中求生存的極限操作。美國不讓先進裝置進中國，韓國就把最關鍵的工序留在本土，用物流成本換取政治合規。與此同時，三星也在走類似的鋼絲。西安工廠2025年完成了從128層到236層的工藝升級，並計畫2026年向280層邁進。同時，三星在韓國本土加速推進400層NAND的量產，在中國則保持“次先進”但“高產能”的定位。也就是說，西安做大規模，韓國做最尖端。兩頭都要抓，兩頭都不能放。但這種平衡註定是脆弱的。2025年12月31日，路透社報導稱，美國已向三星和SK海力士頒發2026年度的裝置出口許可證，但需按年度審批。這項政策標誌著美國對華半導體出口管制進入了“精細化管控”的新階段。簡單來說，美國不再給三星和SK海力士發“長期通行證”（VEU），而是改發“一年一簽的臨時簽證”。更深層的變化也正在發生。2025年第一季度，韓國對華半導體出口額同比下降23.5%，對華出口總額降至288億美元，為九年來的最低水平。事實上，中韓貿易的轉折點早在2023年就已到來。那一年，韓國與中國的貿易收支31年來首次出現逆差，這成為自1992年兩國建交以來中韓經濟關係的一個關鍵分水嶺。韓國《中央日報》發出預警：韓國原本引以為傲的半導體領先地位，恐在未來五年內被中國反超。03當三星與SK海力士在夾縫中艱難求生時，中國晶片，正強勢突圍。2025年11月，IC China博覽會。長鑫儲存的展台前，一塊不起眼的參數牌引發全場騷動：DDR5，速率8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同台亮相的LPDDR5X，最高速率飆至10667Mbps，比上一代提升了66%。▲圖源：上海證券報這不是實驗室樣品，而是量產產品。全球高科技產業研究機構集邦諮詢（TrendForce）資料顯示，2025年長鑫儲存合肥與北京工廠總產能已從每月23萬片提升至28萬片，2026年將進一步攀升至30萬片。其全球DRAM出貨量份額已升至約8%，出貨量增長超過50%，已實現DDR4、DDR5雙線佈局。長鑫的野心遠不止於此。2026年初，消息傳出：長鑫已啟動HBM3高頻寬儲存器的量產工作，計畫每月用約6萬片晶圓生產HBM3，佔總產能的20%。據《經濟日報》報導，長鑫已向包括華為在內的境內客戶交付16奈米製程的HBM3樣品，產品良率已接近三星電子水準。長鑫身側，長江儲存也在狂奔。憑藉自主研發的Xtacking架構技術，長江儲存在消費級SSD市場已具備與國際巨頭正面競爭的能力。2025年，長江儲存全球NAND快閃記憶體出貨量份額首次衝破10%大關，這也標誌著，長江儲存已穩固躋身全球NAND快閃記憶體市場的第一梯隊。長江儲存的年產量也從2024年的129萬片增長至2025年的177萬片，預計2026年將接近200萬片。其武漢三期項目預計2026年下半年量產，屆時總產能將達每月30萬片晶圓，有望超越SK海力士和美光，躍居全球第三，僅次於三星和鎧俠。然而，比產能數字更讓首爾坐立不安的，是另一個正在發生的場景。2026年2月，一則報導震動業界：惠普、戴爾、宏碁、華碩——全球四大PC巨頭，幾乎同時考慮啟動對長鑫儲存DRAM產品的質量驗證。知情人士稱，惠普已啟動產品品質與供應穩定度的認證流程，若DRAM供應持續受限、價格繼續上漲，可能首次採購長鑫儲存的DRAM用於非美國市場。戴爾同樣已對長鑫儲存的DRAM產品啟動認證程序，主要出於對2026年記憶體價格可能繼續攀升的擔憂。為什麼這些PC巨頭突然集體轉向中國供應商？答案很簡單：因為韓國的晶片，被AI搶走了。美光、三星、SK海力士等國際儲存巨頭，正在把最優質的產能優先保障輝達、Google、亞馬遜等AI客戶。AI伺服器需要的HBM高頻寬記憶體，利潤高、需求旺，巨頭們趨之若鶩。而利潤率較低、對成本敏感的消費電子市場，正在被無情擠出產能。於是，許多PC製造商將長鑫儲存視為消費電子領域的“救星”。中國儲存晶片的崛起速度，超出了大多數人的預期。韓國人的危機感，已經溢出產業界，進入國家層面。韓國產業研究院的權威報告指出：韓國半導體產業正面臨“三重夾擊”——美國的技術封鎖、中國的國產替代、日本在材料裝置領域的強勢地位。韓國產業研究院中國產業分析組組長趙恩教在解讀報告時說了一句份量極重的話：“現在韓中產業競爭已經不光是技術追趕的事，而是進入了產業生態、供應鏈和市場的結構性競爭階段。”然而，危機之中也藏著轉機。三星和SK海力士繼續重倉中國，說明聰明的企業不會被動等待政治風向的改變。它們會想盡一切辦法，通過分段製造、工藝分級、產能轉移……在規則的縫隙中尋找生存空間。三星電子會長李在鎔在訪華時明確表示，中國是三星全球戰略中重要的組成部分。SK海力士首席執行長郭魯正也表態，中國已成為SK海力士最重要的生產基地和銷售市場之一，將繼續紮根中國。韓國晶片重倉中國的故事還遠沒有結束。2026年第二季度將是關鍵節點，三星西安X2產線向280層V9 NAND轉換，SK海力士先進NAND產線轉換將逐步落地。這正是中國半導體產業最值得深思的地方。韓國晶片之所以能在夾縫中博弈，根本原因在於它們掌控了核心技術、主導了全球產能、擁有成熟的品牌和客戶關係。中國儲存晶片要想走出一條獨立道路，唯一的答案就是自主——在全球化的框架下，把核心技術握在自己手裡。三十年前，韓國人從夾縫中的追趕者，逆襲為全球霸主。今天，同樣一條路，中國儲存晶片正以更猛烈的加速度重走一遍。當長鑫儲存的HBM3切入全球高端供應鏈，當長江儲存的產能直逼全球前三，當四大PC巨頭集體為中國晶片亮起綠燈，一個屬於中國儲存晶片的時代，即將到來。而這一刻，或許比所有人想像的都要來得更早。 (EDA365電子論壇)

回顧3D NAND的發展歷程，其技術演進脈絡清晰可見。從2015-2017年的早期階段（32L-64L），到2018-2020年的規模擴張期（96L-128L），再到2020-2022年的性能擴展期（176L-232L），行業的核心驅動力一直是“增加層數”，以降低成本並提升密度。然而，當技術節點進入2023-2025年的架構轉型期（約250L-320L）並展望2026年及以後的整合時代（400L-500L+）時，物理極限的挑戰日益凸顯。單純的層數堆疊正變得愈發困難且成本高昂。因此，創新的重心發生了根本性轉移。未來的競爭不再僅僅關乎“誰堆得更高”，而是“誰做得更聰明”，包括採用更智能的架構、深化系統整合以及在系統層面進行最佳化，以應對人工智慧、雲端運算和海量資料儲存帶來的爆炸性需求。核心技術驅動力：重新定義“縮放”的內涵在新的時代背景下，“縮放”（Scaling）不再等同於“增加層數”，而是由四大關鍵技術共同驅動：混合鍵合（Hybrid Bonding）：這項被譽為“晶圓對晶圓”的技術，將儲存陣列和CMOS邏輯電路分別製造在不同的晶圓上，再進行原子等級的鍵合。這不僅實現了更高的密度和更好的性能，還提升了良率。三星、YMTC等廠商已在其技術路線圖中明確採用此技術。外圍電路置於單元下方（COP）：通過將外圍電路移動到儲存陣列的下方或旁邊，可以顯著減小晶片尺寸，並為在200層以上繼續提升擴展效率提供了可能。鎧俠（Kioxia）是此技術的早期採用者。介面與平行性擴展：介面速度正從當前的1,600 MT/s向未來的2,000+ MT/s邁進。同時，通過多平面（Multi-plane）和子平面（Sub-plane）等架構，大幅提升了資料吞吐的平行性。先進刻蝕與工藝創新：製造超過300層的結構，對高深寬比（HAR）刻蝕技術提出了極高要求。低溫刻蝕和新材料的應用，成為保證結構均勻性和提升良率的關鍵。應用驅動分化：TLC與QLC的戰略分道揚鑣隨著應用場景的日益多元化，NAND快閃記憶體技術也呈現出明顯的戰略分化。TLC（三級單元）和QLC（四級單元）正走向不同的發展道路：TLC（性能層）：憑藉其在性能、耐久性（中-高）和成本之間的良好平衡，TLC成為對性能要求苛刻場景的首選。其主要應用包括人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）、企業級儲存和主流客戶端裝置。QLC（容量層）：QLC以犧牲部分性能和耐久性（低）為代價，實現了最低的每位元成本和最高的儲存密度。這使其成為超大規模資料中心、雲端儲存、冷資料歸檔等容量密集型應用的“明確贏家”。未來，儲存也不再是通用性產品，會根據市場做進一步細分。巨頭競速：五大廠商的差異化戰略面對行業變局，全球主要NAND製造商也制定了各具特色的競爭策略：三星：採取“整合+COP”的組合策略，並穩步推進向混合鍵合的過渡，其下一代產品將採用286L的V9 COP技術。鎧俠/威騰電子：堅持其獨有的BiCS技術路線，並較早地採用了CBA（類似COP）架構，下一代產品將推進至218L。美光：以“快速節點跳躍+激進擴展”為策略，計畫在下一代直接跳過400L+世代。SK海力士：專注於“深度垂直擴展”，其4D PUC（類似COP）架構是其核心競爭力，下一代將推出321L產品。長江存儲：以其“架構顛覆”的Xtacking技術聞名，通過晶圓鍵合實現了儲存單元和外圍電路的獨立最佳化，未來規劃指向300L+的多層Xtacking技術。 (銳芯聞)

SK海力士第一季度營收52.58兆韓元，首次突破50兆韓元大關。今日，SK海力士發佈 2026 財年第1財季（截至2026年3月31日）財報，營業收入為52.5763 兆韓元，同比增198%、環比增長60%；營業利潤為37.6103兆韓元，同比增長405%、環比增長96%。從季度業績來看，銷售額首次突破 50 兆韓元大關，營業利潤為 37.6 兆韓元，營業利潤率達到 72%，創下公司成立以來的最高紀錄，營業利潤環比激增約兩倍。值得注意的是，SK 海力士的營業利潤率不僅遠遠超過了輝達公司在去年第四季度的65%的營業利潤率——當時該公司營利率在全球半導體領域排名第一，也超過了台積電今年第一季度的營利率58.1%。SK海力士生產用於儲存資料的記憶體晶片，這些晶片廣泛應用於從伺服器到智慧型手機和筆記型電腦的各種裝置中。作為全球領先的高頻寬記憶體(HBM)供應商，SK海力士受益於人工智慧需求的激增，HBM廣泛應用於人工智慧資料中心。HBM屬於動態隨機存取儲存器(DRAM)的範疇——DRAM是一種用於儲存資料和程式碼的半導體儲存器，廣泛應用於個人電腦、工作站和伺服器。憑藉在HBM領域的早期領先地位以及作為全球領先的人工智慧處理器製造商輝達的關鍵供應商，SK海力士在DRAM市場中超越了美光和三星等競爭對手。SK海力士在其財報中表示：“儘管第一季度通常是季節性淡季，但由於對人工智慧基礎設施的投資增加，強勁的需求依然持續。隨著人工智慧從大型模型訓練發展到智能體人工智慧階段，智能體人工智慧能夠反覆在各種服務環境中執行即時推理，對DRAM和NAND快閃記憶體的記憶體需求基礎正在不斷擴大。”根據市場追蹤機構 TrendForce 的資料，第一季度某些 DRAM 晶片的合約價格比上一季度上漲了近 83%，而某些 NAND 產品的價格飆升了約 160%。然而，根據Counterpoint Research的資料，三星在上一季度重新奪回了DRAM晶片收入榜首的位置。與此同時，SK海力士繼續在HBM領域佔據主導地位，市場份額高達57%。Counterpoint補充道，由於記憶體價格上漲，DRAM市場已連續兩個季度環比增長30%。記憶體價格上漲源於對HBM需求的激增，這佔用了製造商的產能，導致近幾個季度記憶體供應普遍短缺。受此優異業績推動，截至第一季度末，SK海力士現金及現金等價物環比增加19.4兆韓元，達到54.3兆韓元。與此同時，借款額減少2.9兆韓元，降至19.3兆韓元，實現了35兆韓元的淨現金頭寸。財報寫道，隨著人工智慧從以“大型模型訓練”為中心，進化為在各種服務環境中反覆進行即時推理的“代理式人工智慧（Agentic AI）”階段，儲存器需求的基礎正擴展至DRAM和NAND快閃記憶體所有領域。SK海力士預測，儲存效率化技術的擴散將提高人工智慧服務的經濟性，進而推動整體服務規模的擴大，這將進一步拉動儲存器需求。基於此，公司預計DRAM和NAND快閃記憶體市場均將維持有利的價格環境。SK海力士明確了其將在DRAM和NAND快閃記憶體全領域持續推進新產品開發與供應的戰略方針，以靈活應對多樣化的儲存器需求。在HBM方面，其將進一步加強整合性能、良率、質量及供應穩定性的綜合執行能力。並且在DRAM方面，將全面啟動全球首款採用第六代10奈米級（1c）工藝的LPDDR6 DRAM，以及基於同一工藝並於本月開始量產的192GB SOCAMM2的供應。在NAND快閃記憶體方面，SK海力士開始供應基於CTF且採用321層QLC技術的客戶端固態硬碟（cSSD）“PQC21”的同時，將通過在eSSD的全領域建構涵蓋高性能TLC和大容量QLC的產品陣容，靈活應對人工智慧領域的整體需求。此外，公司將依託在大容量QLC eSSD領域擁有優勢的Solidigm產生的協同效應，進一步加強在AI資料中心和AI PC儲存器市場的競爭力。另一方面，SK海力士強調，在客戶需求持續超過供應能力的環境下，能夠應對AI時代需求結構性增長的供應能力已成為核心競爭優勢。對此，公司表示將以韓國清州M15X產能爬坡和龍仁叢集為核心，推進基礎設施建設及EUV等核心裝置引進，為此今年的投資規模將同比大幅增加。SK海力士表示：“公司將戰略性地擴充生產基礎，以先發應對中長期需求增長。也將通過基於需求可見性的投資，同時確保供應穩定性和財務穩健性。” (半導體產業縱橫)